La Universidad de Salamanca (USAL) participa en el proyecto nacional GIGaNTE, una iniciativa estratégica orientada al desarrollo de la nueva generación de semiconductores basados en Nitruro de Galio (GaN), una tecnología avanzada para la fabricación de dispositivos electrónicos más eficientes, compactos y robustos que los basados en silicio convencional.
El proyecto, liderado por Indra y financiado con más de 9 millones de euros dentro del Programa Misiones de Ciencia e Innovación (PEICTII 2024-2027) a través del CDTI, reúne a un consorcio de empresas tecnológicas, centros de investigación y universidades con el objetivo de reforzar las capacidades nacionales en microelectrónica avanzada.
Desarrollo de semiconductores avanzados
En este marco, el grupo de investigación ‘Nanodispositivos electrónicos de alta frecuencia’ (Nanoelec) de la USAL, especializado en nanodispositivos electrónicos de alta frecuencia, aporta su experiencia en caracterización experimental y su exclusivo software de simulación Monte Carlo, una herramienta desarrollada durante tres décadas que permite modelar el comportamiento de los dispositivos con alta precisión antes de su fabricación.
El proyecto GIGaNTE (Iniciativa de Investigación en Tecnologías de Nitruro de Galio y Tecnologías de Empaquetado Avanzado) se desarrollará durante los próximos cuatro años, hasta 2029, con el objetivo de superar las limitaciones del silicio tradicional y avanzar hacia dispositivos de radiofrecuencia más eficientes, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
La participación de la USAL se centra en el análisis y validación de transistores de GaN en condiciones reales de operación, desde corriente continua hasta alta frecuencia. Para ello, el laboratorio de Dispositivos de Radiofrecuencia, ubicado en el Edificio Multiusos I+D+i, dispone de equipamiento de vanguardia, como una estación de puntas criogénica capaz de trabajar en rangos extremos de temperatura, desde 10 Kelvin hasta 500 Kelvin, lo que permite evaluar el comportamiento de los dispositivos en condiciones ambientales extremas.
El consorcio del proyecto está integrado, además de por la USAL, por empresas como Indra, Televés, Sparc y RBZ, junto con la participación científica de la Universidad de Vigo y la Universidad Politécnica de Madrid. El objetivo común es desarrollar una cadena de valor completa en España que abarque desde el diseño de dispositivos hasta su fabricación, integración y validación final, reduciendo la dependencia tecnológica exterior en sectores estratégicos como la defensa y las telecomunicaciones.
Impacto tecnológico y docente
La tecnología de Nitruro de Galio (GaN) permitirá avanzar en sistemas de radar de nueva generación, comunicaciones seguras e infraestructuras de telecomunicaciones de alta capacidad, gracias a su mayor eficiencia frente al silicio.
La investigación desarrollada en la USAL también tendrá impacto en la docencia, ya que los resultados del proyecto se incorporarán al Máster Universitario en Semiconductores y Tecnologías Electrónicas, impartido junto con la Universidad de Valladolid, permitiendo a los estudiantes formarse en un entorno directamente vinculado a la investigación real en microelectrónica.
La participación de la USAL en GIGaNTE se articula mediante contratos de transferencia tecnológica, lo que supondrá una financiación cercana a los 340.000 euros entre 2026 y 2029, destinada a la contratación de personal investigador y a la modernización del equipamiento del laboratorio.