Un equipo de investigación multiinstitucional dirigido por la Universidad de Osaka (Japón) está trabajando para conseguir que los dispositivos electrónicos puedan adaptarse sobre la marcha a la temperatura, presión e impacto. Su trabajo se está centrando en la sintetización de una película ultradelgada de dióxido de vanadio sobre un sustrato flexible, de manera que se conservan las propiedades eléctricas de la película.
El dióxido de vanadio posee la capacidad de transición entre las fases conductora y aislante a casi temperatura ambiente. Esta transición de fase sustenta la electrónica inteligente y adaptable que puede ajustarse a su entorno en tiempo real. Sin embargo, existe un límite referente a la delgadez de las películas de dióxido de vanadio, ya que un material demasiado pequeño afectaría a su capacidad para conducir o aislar la electricidad.
Para superar esta limitación, el equipo preparó las películas sobre cristales hexagonales bidimensionales de nitruro de boro (hBN). El hBN es un material blando muy estable que no tiene enlaces fuertes con los óxidos y, por lo tanto, no tensa excesivamente la película ni estropea su delicada estructura.
Microsensores y dispositivos aptos para cualquier lugar
Al realizar mediciones espectroscópicas precisas, el equipo pudo confirmar que la temperatura de transición de fase de las capas de dióxido de vanadio permaneció esencialmente inalterada, incluso con espesores tan finos como 12 nm.
Dado que los materiales cuánticos como el dióxido de vanadio desempeñan un papel crucial en el diseño de microsensores y dispositivos, este descubrimiento podría allanar el camino para la electrónica funcional y adaptable que se pueda instalar en cualquier lugar. El equipo de investigación está trabajando actualmente en este tipo de dispositivos, además de explorar formas de incorporar películas y sustratos aún más delgados.