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Intel desarrolla un proceso de fabricación de consumo ultra bajo de energía

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Intel Corporation está desarrollando un derivado de consumo ultra bajo de energía de su proceso lógico de fabricación de alto rendimiento de 65 nanómetros (nm), que permitirá la producción de procesadores que ofrecen un consumo de energía ultra bajo diseñados para plataformas móviles y dispositivos de tamaño pequeño. Este proceso de fabricación de consumo ultra bajo representa el segundo método de fabricación de Intel basado en la tecnología de 65 nm.

El proceso de fabricación de Intel de 65 nm de gran rendimiento (un nanómetro es una mil millonésima parte de un metro) proporciona un ahorro en el consumo de energía y mejoras en el rendimiento si lo comparamos con el método actual de fabricación de Intel de 90 nm. El nuevo proceso de fabricación de la compañía de 65 nm de consumo ultra bajo de energía proporciona a los diseñadores de los procesadores de Intel unas opciones adicionales para mejorar la densidad del circuito, el rendimiento y el consumo de energía requerido por los usuarios de dispositivos que funcionan con baterías.

“Las personas eligen normalmente las plataformas móviles que maximizan la duración de las baterías”, ha afirmado Mooly Eden, vicepresidente y director general del Grupo de Plataformas Móviles de Intel. “Nuestro nuevo proceso de fabricación de 65 nm de consumo ultra bajo de energía van a mejorar estos productos en gran medida. Diseñaremos unas plataformas móviles en el futuro con capacidad para obtener el máximo provecho de los innovadores procesos de fabricación de 65 nm”.

Uno de los factores para la disminución del consumo de energía en los procesadores – una cualidad muy importante para los dispositivos móviles y los que funcionan con baterías – es la mejora del diseño del transistor. Las fugas de corriente eléctrica en estos transistores microscópicos – incluso cuando están “apagados” – representan un problema para todo el sector.

“Algunos procesadores exceden los mil millones de transistores, y esto significa que las mejoras realizadas en transistores individuales pueden aportar unos beneficios enormes a todo el dispositivo”, ha manifestado Mark Bohr, socio senior y director de la división de Arquitectura e Integración de Procesos de Intel. “Los procesadores de prueba elaborados con tecnología de Intel de 65 nm de consumo ultra bajo de energía han mostrado una reducción en la fuga de corriente eléctrica en los transistores mil veces menor que la que genera nuestro proceso de fabricación estándar. Esto significa un ahorro importante de energía para las personas que utilizan dispositivos basados en esta tecnología”.

Tecnología de fabricación de Intel de 65 nm de consumo ultra bajo de energía

La tecnología de fabricación de Intel de 65 nm de consumo ultra bajo de energía incluye varias modificaciones clave en el transistor que ofrecerán una serie de ventajas en el consumo ultra bajo de energía junto además del mejor rendimiento del sector. Estas modificaciones en el transistor resultarán en unas reducciones significativas en tres de las fuentes principales de fugas en el transistor: las fugas por debajo del umbral, las fugas en las juntas y las fugas en la capa de aislamiento (gate oxide). Las ventajas de reducir las fugas en el transistor son la reducción del consumo de energía y un aumento en la duración de la batería.

Acerca de la tecnología de fabricación de 65 nm de Intel

La tecnología de fabricación de 65 nm de Intel combina transistores de alto rendimiento y de bajo consumo de energía, una versión de la segunda generación de silicio tensionado de Intel, ocho capas de cobre interconectadas y de alta velocidad, y material dieléctrico “low-k”. La elaboración de procesadores con tecnología de fabricación de 65 nm permitirá a Intel duplicar el número de transistores que se pueden incorporar en un único procesador de hoy en día (utilizando la tecnología de 90 nm).

Los procesos de fabricación de 65nm de Intel van a permitir el empleo de transistores con tan sólo 35nm de gate length (la longitud que tienen que recorrer los electrones desde la fuente para activar el transistor), lo que dará lugar a los transistores CMOS más pequeños y de mayor rendimiento que se producen en grandes cantidades. En contraste, los transistores más avanzados que se producen hoy en día, que se pueden encontrar en los procesadores Intel® Pentium® 4, son de 50 nm. Los transistores más pequeños y rápidos son los componentes esenciales para la creación de procesadores muy rápidos.

Intel ha integrado en estos procesos de fabricación de 65nm una versión de la segunda generación de su silicio tensionado de alto rendimiento. El silicio tensionado proporciona una corriente más alta, incrementando la velocidad de los transistores en sólo un 2% de aumento en costes de fabricación.

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